| 高溫存儲 | 晶體在溫度 85℃±2℃中放置 1000 小時“*2”
| 晶體在溫度 125℃±2℃中放置 1000 小時“*2”
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| 溫度循環 | 晶體按下表溫度
做 1000 個循環 | 晶體按下表溫度
做 1000 個循環 | |
| 穩態濕熱 | 晶體在溫度 85℃±2℃，濕度 85%條件下放置 1000 小時“*2”。 | 晶體在溫度 85℃±2℃，濕度 85%條件下放置 1000 小時“*2”。 | |
| 工作壽命 | 晶體在溫度 85℃±2℃中放置 1000 小時“*2”（施加額定 VDD) | 晶體在溫度 125℃±2℃中放置 1000 小時“*2”（施加額定 VDD) | |
| 外觀 | 檢查器件結構，標識和工藝質量。不要求電氣測試 | 檢查器件結構，標識和工藝質量。不要求電氣測試 | |
| 尺寸 | 用戶和供應商規格。不要求電氣測試 | 用戶和供應商規格。不要求電氣測試 | |
| 端子強度
(插件類) | 拉力：沿端子軸方向施力 227g 的拉力,持續時間 10±5 秒。
彎曲:負荷應限制在距晶體元件本體 2.5±0.5mm 處開始彎曲，所加質 量負荷為 227g，彎曲次數為 3 次。
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| 沖擊 | 沖擊方式 半正弦波 100G 持續時間 6ms 方向 X、Y、Z 軸向，6 面，共 18 次沖擊 | |
| 振動 | 振動頻率 10～2000Hz 振輻 1.5mm
掃描時間 20 min 方向 X、Y、Z(三個方向各 12 個循環)
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| 耐焊接熱 | 回流焊：峰值溫度：260±5℃，時間：10 秒±1 秒。 | |
| 可焊性 | 焊接溫度 245℃±5 ℃ 浸入時間 5 秒±0.5 秒， 助焊劑 松香樹脂甲醇溶劑 ( 1:4 )
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| 電性特征 | 按批次和樣品數量要求進行參數試驗，總結列出室溫下及最低、最高 工作溫度下器件的最小值、最大值、平均值和標準偏差。 | |
| 面板彎曲 （SMD） | 向產品的中心施加壓力，直到彎曲到最少 2mm，并保持 60±5 秒。 | |
| 端子強度 （SMD） | 側方施加 1.8Kg 的力，持續時間 60±1 秒。 | |
